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      手機(jī)硬件設(shè)計(jì)說明書

      2020-06-13 11:03:29
      來源:互聯(lián)網(wǎng)
      閱讀:-

      手機(jī)硬件設(shè)計(jì)說明書...

      手機(jī)硬件詳細(xì)設(shè)計(jì)報(bào)告

      關(guān)鍵詞:LTE、TDD、CDMA、WCDMA、TD-SCDMA、GSM、BT、WLAN、GPS

      摘要:本文檔為手機(jī)單板詳細(xì)設(shè)計(jì)文檔說明,對(duì)單板功能實(shí)現(xiàn)的方法、單板結(jié)構(gòu)、加工工藝等方面進(jìn)行詳細(xì)描述

      縮略語清單:

      AP:Application Processor 應(yīng)用處理器

      Quad-core:四核;

      NEON:NEON 技術(shù)是64/128 位單指令多數(shù)據(jù)流(SIMD)指令集,用于新一代媒體和信號(hào)處

      理應(yīng)用加速。NEON 技術(shù)下執(zhí)行MP3 音頻解碼器,CPU 頻率可低于10 兆赫;運(yùn)行GSM AMR

      語音數(shù)字編解碼器,CPU 頻率僅為13 兆赫。新技術(shù)包含指令集、獨(dú)立的寄存器及可獨(dú)立的

      執(zhí)行硬件。NEON 支持8 位、16 位、32 位、64 位整數(shù)及單精度浮點(diǎn)SIMD 操作,以進(jìn)行

      音頻/視頻、圖像和游戲處理。

      DVFS:Dynamic voltage and frequency scaling,即根據(jù)系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)調(diào)整電壓和開關(guān)電源的頻率

      LPDDR2/3:Low Power Double Data Rate 2/3 代;

      EMMC:Embedded Multi-Media Card

      SDIO:Secure Digital Input and Output Card,SD IO SD 卡的接口

      OTG:On The Go,簡單來說就是把手機(jī)當(dāng)主機(jī),可以外接U 盤等;

      LDO:Low Drop Output,低壓降電源;

      BUCK:降壓DC-DC;

      Core Power:給ARM 內(nèi)核供電的電壓;

      UART:Universal Asynchronous Receiver/Transmitter,通用異步收發(fā)器。它只需要兩個(gè)

      線,分別是Sout 和Sin。在手機(jī)上就是com 口,也就是TX he RX,工作的時(shí)候兩條信號(hào)線

      都是高電平;

      USB:Universal Serial Bus;

      ZIF: Zero Intermediate Frequency 零中頻;

      PCM:Pulse Coded Modulation;

      GPIO: General Purpose Input/Output;

      CCK:complementary Code Keying 補(bǔ)碼鍵控;

      GSM:Global System Mobile 全球移動(dòng)通信系統(tǒng)

      GPRS:General Packet Radio Service;

      EDGE:EGPRS,Enhanced GPRS

      CMMB:China Mobile Multimedia Broadcasting;

      VCO:Voltage-Controlled Oscillator

      1,概述

      1.1 項(xiàng)目背景

      X8 項(xiàng)目是一款中端LTE 項(xiàng)目,平臺(tái):MT6732,頻段900/1800;TD 2 頻

      (1900/2100)+TDD38、39、40\CSFB;LCD:720P,camera 前500 后

      后800W(兼容1300W);CSFB: Circuit Switch Fall Back,上網(wǎng)用4G,打電話用2G

      1.1.1 X8 對(duì)應(yīng)的硬件單板名稱和版本號(hào)

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      1.1.2 ID 效果圖、工藝圖、堆疊示意圖

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      架構(gòu)特點(diǎn):1)半截板,主板雙面布件;2)接近光/環(huán)境光傳感器SMT 到FPC 上,F(xiàn)PC 通過

      ZIF 座與主板相連,開機(jī)鍵/音量鍵FPC 通過6PIN 焊盤刷焊;3) 大小版通過FPC 連接,主板

      和副板的天線部分通過射頻連接線連接。

      1.2 手機(jī)功能描述

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      手機(jī)功能描述

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      手機(jī)功能描述

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      手機(jī)功能描述

      1.3 手機(jī)運(yùn)行環(huán)境說明

      X8 手機(jī)允許工作溫度范圍為-10~45°,允許的存儲(chǔ)溫度范圍為-20~70°

      1.4 重要性能指標(biāo)

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      手機(jī)射頻指標(biāo)

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      手機(jī)射頻指標(biāo)

      2,手機(jī)各組成部分詳細(xì)說明

      2.1 手機(jī)的系統(tǒng)框圖

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      手機(jī)功能框圖

      2.2手機(jī)硬件設(shè)計(jì)

      2.2.1平臺(tái)信息

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      平臺(tái)信息

      2.2.2 軟硬件接口文檔

      附文檔(GPIO 說明文檔)

      2.2.3 關(guān)鍵器件信息

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      2.3 基帶功能模塊設(shè)計(jì)

      2.3.1Memory

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      器件選型,只以EMCP為例

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      實(shí)現(xiàn)方案(eMMC,DDR,mcp,eMCP,POP 等)

      本項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)的方式是:eMCP:eMMC+LPDDR3

      解釋:mcp:nand flash+DDR

      POP:Package ON Package

      關(guān)鍵特性

      上電時(shí)序

      emmc 兩個(gè)電源Vcc 和Vccq,Vcc 要求上電時(shí)間小于35ms,VCCQ 的上電時(shí)間小于25ms,兩者下電時(shí)間盡量同步;

      Supply for 3.3V <35ms

      1.8V<25ms

      1.2V<20ms

      LPDDR3 要求所有電源(VDD1,VDD2,VDDCA,VDDQ)上電時(shí)間不大于20ms,下電無要求LPDDR3 的VREF 濾波電容不能太大,否則20ms 內(nèi)完不成上電;

      信號(hào)完整性SI

      eMMC CLK 需要串一個(gè)幾十歐姆(33ohm??)的電阻,以實(shí)現(xiàn)阻抗配合

      LPDDR3 差分信號(hào)CLK+/-,DQS0+/-,...,DQS3+/-走差分線

      電源完整性:

      做電源PDN 仿真

      2.3.2 PMU

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      實(shí)現(xiàn)方案

      1 充電:通過MT6325 直接控制充電

      2 給系統(tǒng)供電:

      X 個(gè)DCDC, X 個(gè)LDO

      支持DVFS,可以根據(jù)系統(tǒng)負(fù)載情況,動(dòng)態(tài)調(diào)整DC/DC 輸出(0.7~1.4V)

      3,復(fù)位/控制

      4,電流源:5 路,可以做鍵盤燈,指示燈

      Audio PA

      關(guān)鍵特性:DC/DC

      電感選型:通流能力,超過DCDC 最大輸出電流的1.2 倍(80%降額使用)

      低直流阻抗

      單點(diǎn)接地:DCDC 地接一起后,單點(diǎn)接地,防止對(duì)其他電源的干擾

      PCB:接地寬度(過孔)要注意過流能力

      開機(jī)過程:按開機(jī)鍵,插充電器,鬧鐘RTC 喚醒:

      開機(jī)流程圖

      2.3.3 充電

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      1) 實(shí)現(xiàn)方案:預(yù)充電、涓流、恒流、恒壓

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      電池內(nèi)阻:<110mohm,內(nèi)阻是電池的固定屬性,與電池電量大小無關(guān),用電池測(cè)試儀測(cè)試。

      2) 電池溫度檢測(cè)

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      2.3.4 電量計(jì)模式

      電量計(jì):Gauge

      信號(hào)腳:CS_N,CS_P

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      電量計(jì)是綜合考量時(shí)間與電流的乘積,從而計(jì)算出電池當(dāng)前的容量,既可以計(jì)算充電狀態(tài)下的電池用量,也可以計(jì)算使用狀態(tài)下的電池用量,具有雙向統(tǒng)計(jì)的功能。

      2.3.5電池接口

      Vbat GND 溫度檢測(cè)腳

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      防護(hù)電路:ESD:VBAT ID NTC 加TVS 管

      EMC:VBAT、ID、NTC 并聯(lián)nF 和pF 級(jí)電容,防止對(duì)天線靈敏度造成干擾;

      過壓防護(hù):VBAT 加穩(wěn)壓管(一般為最大電壓值乘以1.2)

      PS.穩(wěn)壓管和TVS 管的區(qū)別;

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      1, 穩(wěn)壓管能夠鉗制電壓在固定的值,而TVS 管限制電壓在擊穿電壓VB 和最大鉗制VC 之間

      其中VR 稱為最大轉(zhuǎn)折電壓,是反向擊穿之前的臨界電壓。VB 是擊穿電壓,其對(duì)

      應(yīng)的反向電流IT 一般取值為1 mA。VC 是最大箝位電壓,當(dāng)TVS 管中流過的峰值電流

      為IPP 的大電流時(shí),管子兩端電壓就不再上升了。因此TVS 管能夠始終把被保護(hù)的器

      件或設(shè)備的端口電壓限制在VB~VC 的有效區(qū)內(nèi)。與穩(wěn)壓管不同的是,IPP 的數(shù)值可達(dá)

      數(shù)百安培,而箝位響應(yīng)時(shí)間僅為1×10-12s。TVS 的最大允許脈沖功率為Pmax=VC*IPP,

      且在給定最大鉗位電壓下,功耗PM 越大,其浪涌電流的承受能力越大。

      2.3.6 TP

      TP 對(duì)上電順序無特別要求

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      靠近TP 連接器

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      靠近PMU

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      注意I2C總線和中斷腳都要上拉。

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      TP 所有的信號(hào)腳都需要加TVS 防護(hù)管;推薦型號(hào):

      2.3.7 LCD

      MIPI CLK 計(jì)算方式:分辨率*3(RGB 燈的個(gè)數(shù))*色彩位數(shù)*刷新率/數(shù)據(jù)通道數(shù)量/2

      比如:1080p 的屏,按照60Hz 的數(shù)據(jù)刷新率,需要的時(shí)鐘頻率是:

      1920*1080*3*8*60/4/2=373.248MHz

      由于會(huì)有控制數(shù)據(jù)需要傳送,所以一般LCD 的時(shí)鐘會(huì)需要增加10%,也就是

      373.248MHz*1.1=410.5728MHz

      LCD 色彩數(shù)目計(jì)算方式:2^8*2^8*2^8(8 為每種顏色的表現(xiàn)位數(shù))=16.5M

      2.3.8 Camera

      MIPI CLK 的計(jì)算公式:分辨率*采樣深度*采樣率/通道數(shù)量/2

      后置攝像頭:1080P 的錄像所需的時(shí)鐘頻率是:1920*1080*10bit*30fps/4/2=77.76MHz

      前置攝像頭:1080P 的錄像所需的時(shí)鐘頻率是:1920*1080*10bit*28fps/2/2=145.15MHz

      MCLK PCLK 預(yù)留RC 做阻抗匹配,保證信號(hào)完整性。

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      2.3.9 音頻方案(含耳機(jī)及接口,雙mic降噪)-

      聽筒電路中磁珠為EMI器件,一般選擇60ohm,120ohm和75ohm@100MHZ

      33pF為旁路電容

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      用于聽筒EMI的電容

      2.3.10馬達(dá)

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      馬達(dá)電路

      2.3.11 HDMI/MHL

      2.3.12 USB接口

      在副板上

      2.3.13 SIM卡

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      1,電源:SIM1_VCC是SIM卡1的專用電源,其中1uF的電容為去耦電容,33pF為高頻旁路電容。

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      SIM VCC電源

      2, 所有的非地管腳均需加TVS 管防護(hù)靜電。

      TVS 管推薦型號(hào):

      ON:ESD5V3L1B-02LS

      Infineon:ESD5481MUT5G

      Diodes:D5V0L1b2lp3-7&1;

      Semtech:UCLAMP0541Z.TNT

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      防護(hù)電路

      SIM卡插入和拔出中斷需要上拉:

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      中斷腳需要上拉

      2.3.14 T卡

      T卡和SIM2連接器二合一。

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      T卡和SIM卡而合一卡座

      VDD需要加一個(gè)4.7uF的陶瓷電容去耦加穩(wěn)壓;CLK腳和數(shù)據(jù)腳需要串聯(lián)30R做阻抗匹配;

      2.3.15 GPS/BT/WIFI/FM

      主處理芯片為MT6625L,本項(xiàng)目GPS和WIFI頻段信息如下:GPS:1575.42 MHz,WIFI支持2.4G和5G兩種載頻。但天線是用一個(gè),因此,需要一個(gè)三工器以保證GPS和WIFI都能正常工作。

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      GPS/WIFI合路器

      其中RF_WBT表示W(wǎng)IFI和藍(lán)牙的2.4GHz頻段,RF_WF_5G表示W(wǎng)IFI的5GHz頻段。GPS_RF_LNA表示GPS接收信號(hào),顧名思義,這個(gè)信號(hào)是要接到LNA上去的。

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      用于天線防護(hù)的TVS管,結(jié)電容<0.5pF

      天線端需要加一個(gè)TVS管防止靜電從天線端引入,這個(gè)管子注意結(jié)電容一定要小,推薦小于0.5pF。

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      測(cè)試座

      這里做了測(cè)試座子的兼容設(shè)計(jì),入網(wǎng)的板子貼這個(gè)RF connector,正式量產(chǎn)的板子不貼這個(gè)射頻座子。

      MT6625L和CPU接口是IQ信號(hào)。

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      WIFI/BT/GPS IQ信號(hào)

      2.3.16 NFC

      2.3.17 CMMB

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      2.3.18 按鍵

      2.3.19 加速度傳感器

      2.3.20 指南針傳感器

      2.3.21 環(huán)境光和接近光傳感器

      2.3.22 三色燈

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      三色燈電路

      2.3.23 Hall IC功能

      2.3.24 晶體/晶振

      32.768K 慢時(shí)鐘,時(shí)間時(shí)鐘;由主電池或者后備電池的情況下會(huì)立刻起振;

      26M 快時(shí)鐘,邏輯時(shí)鐘。Layout注意:1,走線短,線寬8-12mil,包地;2,GND的處理,避空處理;混頻的源頭。原則上晶體和晶振只能給一個(gè)負(fù)載提供時(shí)鐘信號(hào)。在進(jìn)入開機(jī)流程才會(huì)起振。

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      晶振電路

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